联发科3nm制程芯片成功流片 预计2024年量产

9月7日消息 联发科、台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发进展十分顺利，目前已经完成流片。

联发科表示，3nm新旗舰预计明年投入量产，明年下半年上市。

将在今年下半年发布的天玑9300还是采用台积电4nm工艺，因此推测，这款3nm新旗舰应该是下一代的“天玑9400”。

台积电3nm将是全新一代制程工艺，可为高性能计算、移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强的性能、功耗、良率表现。

根据官方数据，台积电3nm相较于5nm可将芯片逻辑密度增加约60％，在相同功耗下性能提升18％，或者在相同性能下功耗降低32％。

苹果A17也将采用台积电3nm工艺，而高通骁龙8 Gen4说法不一，有的称台积电、三星双代工，有的说全部包给三星。